SIZ200DT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SIZ200DT-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIZ200DT-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    30/28нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    61А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7,7/7,3мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    130А
  • Корпус
    PowerPAIR® 3x3
  • Рассеиваемая мощность
    33Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация