SISS70DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5125 шт
Количество Цена
1 1 673 ₽
10 370 ₽
100 175 ₽
500 131 ₽
3000 104 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+15 баллов
SISS70DN-T1-GE3 от 104 рублей в наличии 5125 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS70DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    42.1W
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Ток стока в импульсном режиме
    50А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    29,8мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    24,8А
  • Напряжение сток-исток
    125В
  • Технология
    TrenchFET®
  • Технология
    ThunderFET
  • Заряд затвора
    15,3нC
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация