Каталог товаров

SISS67DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 4220 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 612
10 351
100 164
500 122
3000 97
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 4 220 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SISS67DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SISS67DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SISS67DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 42.1W
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 111нC
Выбрано: Показать
Ток стока -60А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 9,3мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -120А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±25V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти