SISS5810DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3896 шт
Количество Цена
1 1 613 ₽
10 331 ₽
100 147 ₽
500 108 ₽
3000 81 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+12 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SISS5810DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SISS5810DN-T1-GE3 от 81 рублей в наличии 3896 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS5810DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 51А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    12,2нC
  • Ток стока
    51А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    10мОм
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.097g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация