SISS5808DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 10471 шт
Количество Цена
1 1 738 ₽
10 410 ₽
100 203 ₽
500 154 ₽
3000 124 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+18 баллов
SISS5808DN-T1-GE3 от 124 рублей в наличии 10471 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS5808DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    24нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Ток стока
    66,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    11мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    150А
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    65,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация