SISS5112DN-T1-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
10531 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 720 ₽ |
| 10 | 397 ₽ |
| 100 | 194 ₽ |
| 500 | 147 ₽ |
| 3000 | 117 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулSISS5112DN-T1-GE3
-
ПроизводительVISHAY
SISS5112DN-T1-GE3 от 117 рублей в наличии 10531 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
SISS5112DN-T1-GE3 описание и характеристики
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,6А; Idm: 70А
Вы смотрели:
