SISS30DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 11994 шт
Количество Цена
1 348 ₽
10 221 ₽
50 166 ₽
500 117 ₽
9000 85 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+12 баллов
SISS30DN-T1-GE3 от 85 рублей в наличии 11994 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS30DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    40нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Ток стока
    43,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    10,3мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    120А
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    36Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация