SISS10DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 851 шт
Количество Цена
1 1 647 ₽
10 350 ₽
50 191 ₽
100 160 ₽
3000 94 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
SISS10DN-T1-GE3 от 94 рублей в наличии 851 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS10DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    75нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Ток стока
    60А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,6мОм
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    150А
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    36Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация