SISS10ADN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 31331 шт
Количество Цена
1 1 597 ₽
10 317 ₽
100 137 ₽
500 100 ₽
3000 78 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
SISS10ADN-T1-GE3 от 78 рублей в наличии 31331 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISS10ADN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    36Вт
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Ток стока в импульсном режиме
    150А
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,95мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    86,8А
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    61нC
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация