SISS08DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SISS08DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SISS08DN-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SISS08DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    82нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    25В
  • Ток стока
    156,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,87мОм
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    300А
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    42Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация