В корзине
нет товаров
SISH892BDN-T1-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
8180 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 190 ₽ |
| 10 | 141 ₽ |
| 500 | 75 ₽ |
| 3000 | 60 ₽ |
| 9000 | 53 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулSISH892BDN-T1-GE3
-
ПроизводительVISHAY
-
Техническое описание:
SISH892BDN-T1-GE3 от 53 рублей в наличии 8180 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
SISH892BDN-T1-GE3 описание и характеристики
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A
