SISH106DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5296 шт
Количество Цена
1 409 ₽
10 262 ₽
100 178 ₽
1000 137 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+20 баллов
SISH106DN-T1-GE3 от 137 рублей в наличии 5296 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISH106DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    2W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    27nC
  • Ток стока
    15.6A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    20V
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9.8mΩ
  • Напряжение затвор-исток
    ±12V
  • Ток стока в импульсном режиме
    60A
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация