Каталог товаров

SISH106DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 4599 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 693
10 404
50 236
100 202
500 154
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 4 599 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SISH106DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SISH106DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SISH106DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 2W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 27nC
Выбрано: Показать
Ток стока 15.6A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 20V
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 9.8mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±12V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 60A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти