SISH101DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5681 шт
Количество Цена
1 210 ₽
10 132 ₽
500 67 ₽
3000 53 ₽
9000 47 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+7 баллов
SISH101DN-T1-GE3 от 47 рублей в наличии 5681 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISH101DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    33W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    102nC
  • Ток стока
    -35A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    -30V
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    13mΩ
  • Напряжение затвор-исток
    ±25V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -80A
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация