Каталог товаров

SISH101DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 22209 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 531
10 298
50 153
500 92
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 22 209 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SISH101DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SISH101DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SISH101DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 33W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 102nC
Выбрано: Показать
Ток стока -35A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 13mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±25V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -80A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±25V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти