SISD5300DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2954 шт
Количество Цена
1 1 773 ₽
10 435 ₽
100 221 ₽
500 169 ₽
3000 136 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+20 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SISD5300DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SISD5300DN-T1-GE3 от 136 рублей в наличии 2954 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISD5300DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 198А; 5,4Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    5,4Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    27нC
  • Ток стока
    198А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    870мкОм
  • Gate-source voltage
    ±16В
  • Вес
    0.091g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация