Каталог товаров

SISC06DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 5354 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 574
10 326
100 146
500 108
3000 89
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 5 354 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SISC06DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SISC06DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SISC06DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 29,6Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 58нC
Выбрано: Показать
Ток стока 40А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET + Schottky
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 4мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 100А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -16...20В
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти