SISC06DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5354 шт
Количество Цена
1 1 621 ₽
10 335 ₽
100 151 ₽
500 111 ₽
3000 87 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
SISC06DN-T1-GE3 от 87 рублей в наличии 5354 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISC06DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET + Schottky
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    29,6Вт
  • Ток стока в импульсном режиме
    100А
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    4мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    40А
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Заряд затвора
    58нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Монтаж
    SMD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация