SIS903DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 10061 шт
Количество Цена
1 274 ₽
10 173 ₽
500 90 ₽
3000 72 ₽
9000 64 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
SIS903DN-T1-GE3 от 64 рублей в наличии 10061 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIS903DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -40A

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    14.8W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    42nC
  • Ток стока
    -6A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    -20V
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    40mΩ
  • Напряжение затвор-исток
    ±8V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -40A
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация