SIS903DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+10 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIS903DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SIS903DN-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIS903DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -40A

  • Производитель
    VISHAY
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Рассеиваемая мощность
    14.8W
  • Заряд затвора
    42nC
  • Полярность
    unipolar
  • Технология
    TrenchFET®
  • Ток стока
    -6A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    -20V
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Сопротивление в открытом состоянии
    40mΩ
  • Напряжение затвор-исток
    ±8V
  • Монтаж
    SMD
  • Ток стока в импульсном режиме
    -40A
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация