SIS862DN-T1-GE3

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIS862DN-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
Вы можете запросить у нас любое количество SIS862DN-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

SIS862DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    52W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    20.8nC
  • Ток стока
    40A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    60V
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    12.5mΩ
  • Напряжение затвор-исток
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    100A
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация