Каталог товаров

SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 218 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 438
10 285
100 191
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 218 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIS443DN-T1-GE3

Производитель

Видео

Техническое описание

Купить SIS443DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIS443DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -80А; 33Вт

Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -80А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Ток стока -35А
Выбрано: Показать
Заряд затвора 135нC
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 33Вт
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -40В
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 11,7мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти