SIS410DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 36 шт
Количество Цена
1 318 ₽
10 201 ₽
50 151 ₽
500 106 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+15 баллов
SIS410DN-T1-GE3 от 106 рублей в наличии 36 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIS410DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Рассеиваемая мощность
    33Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Ток стока в импульсном режиме
    60А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    6,3мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Ток стока
    35А
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    41нC
  • Монтаж
    SMD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация