Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SIS407DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 27894 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 531
10 307
50 162
500 98
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 27 894 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIS407DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIS407DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIS407DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт

Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -40А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Ток стока -25А
Выбрано: Показать
Заряд затвора 93,8нC
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 21Вт
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±8V
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 9,5мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±8В
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Вес 0.025g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти