SIRS510DPW-T1-RE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5651 шт
Количество Цена
1 1 993 ₽
10 585 ₽
100 330 ₽
500 261 ₽
3000 216 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+32 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIRS510DPW-T1-RE3
  • Производитель
    VISHAY
SIRS510DPW-T1-RE3 от 216 рублей в наличии 5651 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIRS510DPW-T1-RE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 120А; Idm: 200А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    171Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    32нC
  • Ток стока
    120А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,8мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    200А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация