SIRC18DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 10889 шт
Количество Цена
1 1 752 ₽
10 422 ₽
100 212 ₽
500 162 ₽
3000 130 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+19 баллов
SIRC18DP-T1-GE3 от 130 рублей в наличии 10889 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIRC18DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    111нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    60А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,54мОм
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    250А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    34,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Тип транзистора
    N-MOSFET + Schottky
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация