SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.

нет в наличии

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
SIRC06DP-T1-GE3
Производитель
VISHAY
Техническое описание:

Документация язык en

Pdf, 202.27 KB

Вы можете запросить у нас любое количество SIRC06DP-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIRC06DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,8А; 0,2Вт; SOT23

+21150 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 0,3Вт; SOT23

+11025 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3

+40950 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

+1980 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; 1,2Вт

+13950 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+6030 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23

+3690 баллов

Подробнее

2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23

+11340 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

+5850 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,3Вт; SOT323

+12420 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

+7695 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,28А; Idm: 1,2А; 420мВт

+7560 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог