SIRA90DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2204 шт
Количество Цена
1 542 ₽
10 362 ₽
50 271 ₽
100 242 ₽
250 216 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+32 балла
SIRA90DP-T1-GE3 от 216 рублей в наличии 2204 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIRA90DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    66,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    153нC
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,15мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация