SIRA12BDP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4963 шт
Количество Цена
1 1 521 ₽
10 270 ₽
100 105 ₽
500 74 ₽
3000 56 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIRA12BDP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIRA12BDP-T1-GE3 от 56 рублей в наличии 4963 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIRA12BDP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    24Вт
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Ток стока в импульсном режиме
    150А
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    6мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    59А
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Технология
    TrenchFET®
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    32нC
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация