SIRA02DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3159 шт
Количество Цена
1 1 812 ₽
10 462 ₽
100 240 ₽
500 185 ₽
3000 150 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+22 балла
SIRA02DP-T1-GE3 от 150 рублей в наличии 3159 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIRA02DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    117нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    50А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,7мОм
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    100А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    45,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация