Каталог товаров

SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 868 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 767
10 450
100 235
500 181
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 868 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIRA02DP-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIRA02DP-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIRA02DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 45,7Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 117нC
Выбрано: Показать
Ток стока 50А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 2,7мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 100А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -16...20В
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти