Каталог товаров

SIRA01DP-T1-GE3

  • всего в наличии: 16962 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 700
10 409
100 206
500 157
3000 126
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 16 962 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIRA01DP-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIRA01DP-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIRA01DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 40W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 112nC
Выбрано: Показать
Ток стока -20.8A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 8.2mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток -20...16V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -150A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -20...16В
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти