SIR873DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 64841 шт
Количество Цена
1 1 770 ₽
10 431 ₽
100 218 ₽
500 167 ₽
3000 134 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+20 баллов
SIR873DP-T1-GE3 от 134 рублей в наличии 64841 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR873DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -37А; Idm: 50А; 66,6Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    66,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    48нC
  • Ток стока
    -37А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -150В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    47,5мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    50А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация