SIR638DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5025 шт
Количество Цена
1 1 902 ₽
10 523 ₽
100 285 ₽
500 223 ₽
3000 183 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+27 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIR638DP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIR638DP-T1-GE3 от 183 рублей в наличии 5025 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR638DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    204нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,16мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    104Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация