SIR618DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4926 шт
Количество Цена
1 1 632 ₽
10 343 ₽
100 155 ₽
500 115 ₽
3000 96 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
SIR618DP-T1-GE3 от 96 рублей в наличии 4926 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR618DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    21,5нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    200В
  • Ток стока
    14,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    99мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    30А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    48Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация