SIR5810DP-T1-RE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5763 шт
Количество Цена
1 1 593 ₽
10 316 ₽
100 137 ₽
500 100 ₽
3000 78 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIR5810DP-T1-RE3
  • Производитель
    VISHAY
SIR5810DP-T1-RE3 от 78 рублей в наличии 5763 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR5810DP-T1-RE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 42,6А; Idm: 100А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    56,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    9,2нC
  • Ток стока
    42,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    10мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    100А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.16g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация