SIR5808DP-T1-RE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 11881 шт
Количество Цена
1 1 752 ₽
10 421 ₽
100 211 ₽
500 161 ₽
3000 130 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+19 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIR5808DP-T1-RE3
  • Производитель
    VISHAY
SIR5808DP-T1-RE3 от 130 рублей в наличии 11881 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR5808DP-T1-RE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 53,5А; Idm: 150А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    65,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    11,8нC
  • Ток стока
    53,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7,35мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    150А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация