SIR514DP-T1-BE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5984 шт
Количество Цена
1 1 861 ₽
10 493 ₽
100 262 ₽
500 204 ₽
3000 153 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+22 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIR514DP-T1-BE3
  • Производитель
    VISHAY
SIR514DP-T1-BE3 от 153 рублей в наличии 5984 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR514DP-T1-BE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,8А; Idm: 250А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    83,3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    23нC
  • Ток стока
    67,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    5,8мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    250А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.17g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация