SIR5112DP-T1-RE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1837 шт
Количество Цена
1 1 799 ₽
10 452 ₽
100 234 ₽
500 180 ₽
3000 145 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+21 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIR5112DP-T1-RE3
  • Производитель
    VISHAY
SIR5112DP-T1-RE3 от 145 рублей в наличии 1837 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIR5112DP-T1-RE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 40,7А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    10,6нC
  • Ток стока
    40,7А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    14,9мОм
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация