SIJH5700E-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2372 шт
Количество Цена
1 2 708 ₽
10 1 083 ₽
100 707 ₽
500 668 ₽
2000 544 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+81 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIJH5700E-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIJH5700E-T1-GE3 от 544 рублей в наличии 2372 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIJH5700E-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 138А; Idm: 500А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 8x8L
  • Рассеиваемая мощность
    333Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    93нC
  • Ток стока
    138А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    150В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    4,1мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    500А
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Вес
    0.14g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация