SIJH112E-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2075 шт
Количество Цена
1 2 462 ₽
10 909 ₽
100 574 ₽
500 518 ₽
2000 421 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+63 балла
SIJH112E-T1-GE3 от 421 рублей в наличии 2075 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIJH112E-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    160нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Ток стока
    225А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,6мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    300А
  • Корпус
    PowerPAK® 8x8L
  • Рассеиваемая мощность
    333Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация