SIJ186DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 6068 шт
Количество Цена
1 1 691 ₽
10 381 ₽
100 183 ₽
500 137 ₽
3000 109 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+16 баллов
SIJ186DP-T1-GE3 от 109 рублей в наличии 6068 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIJ186DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    57Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    37нC
  • Ток стока
    79,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7,8мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    150А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация