SIHU2N80E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+29 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SIHU2N80E-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHU2N80E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    THT
  • Заряд затвора
    19,6нC
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Ток стока
    1,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    2,75Ом
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Корпус
    IPAK
  • Корпус
    TO251
  • Рассеиваемая мощность
    62,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация