SIHJ8N60E-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2799 шт
Количество Цена
1 1 883 ₽
10 508 ₽
100 273 ₽
500 213 ₽
3000 174 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+26 баллов
SIHJ8N60E-T1-GE3 от 174 рублей в наличии 2799 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHJ8N60E-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    44нC
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,52Ом
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
    18А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    89Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация