SIHJ6N65E-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5661 шт
Количество Цена
1 584 ₽
10 378 ₽
100 259 ₽
500 211 ₽
1000 209 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+31 балл
SIHJ6N65E-T1-GE3 от 209 рублей в наличии 5661 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHJ6N65E-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    32нC
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Ток стока
    3,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    868мОм
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
    12А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    74Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация