SIHD4N80E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1862 шт
Количество Цена
1 493 ₽
10 317 ₽
100 217 ₽
500 174 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+26 баллов
SIHD4N80E-GE3 от 174 рублей в наличии 1862 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHD4N80E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    32нC
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Ток стока
    2,7А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,27Ом
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
    11А
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    69Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация