SIHD1K4N60E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2311 шт
Количество Цена
1 361 ₽
10 226 ₽
100 149 ₽
1000 115 ₽
6000 98 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
SIHD1K4N60E-GE3 от 98 рублей в наличии 2311 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHD1K4N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    63Вт
  • Корпус
    TO252
  • Корпус
    DPAK
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,45Ом
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    2,6А
  • Заряд затвора
    7,5нC
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация