Каталог товаров

SIHD11N80AE-T1-GE3

SIHD11N80AE-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2000 шт
Количество Цена ₽ /шт
2000 161
Добавить 2000 шт. на ₽
В корзину
От 2000 шт.
Доступно 2 000 шт.

Условия

  • Минимально 2000 и кратно 2000
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIHD11N80AE-T1-GE3

Производитель

Купить SIHD11N80AE-T1-GE3 от 2000 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHD11N80AE-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 391мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 22А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 78Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 42нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Ток стока 5А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 800В
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30В
Выбрано: Показать
Корпус DPAK
Выбрано: Показать
Корпус TO252
Выбрано: Показать
Вес 0.33g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти