SIHD11N80AE-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2000 шт
Количество Цена
2000 165 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+24 балла
  • Условия
    Минимально 2000 и кратно 2000
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIHD11N80AE-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIHD11N80AE-T1-GE3 от 165 рублей в наличии 2000 шт производства VISHAY, купить от 2000 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHD11N80AE-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    78Вт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    42нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    391мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    22А
  • Gate-source voltage
    ±30В
  • Вес
    0.33g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация