SIHB22N60E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 240 шт
Количество Цена
1 1 164 ₽
5 853 ₽
10 796 ₽
25 723 ₽
50 673 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+100 баллов
SIHB22N60E-GE3 от 673 рублей в наличии 240 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB22N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт; D2PAK

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    227Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    86нC
  • Ток стока
    21А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,18Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Ток стока в импульсном режиме
    56А
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация