SIHB20N50E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2230 шт
Количество Цена
1 845 ₽
10 556 ₽
50 432 ₽
100 392 ₽
500 323 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+48 баллов
SIHB20N50E-GE3 от 323 рублей в наличии 2230 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB20N50E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    179Вт
  • Корпус
    TO263
  • Корпус
    D2PAK
  • Ток стока в импульсном режиме
    42А
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    184мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    12А
  • Напряжение сток-исток
    500В
  • Заряд затвора
    92нC
  • Монтаж
    SMD
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация