SIHB190N65E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 992 шт
Количество Цена
1 921 ₽
10 609 ₽
50 475 ₽
100 432 ₽
500 376 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+56 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIHB190N65E-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIHB190N65E-GE3 от 376 рублей в наличии 992 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB190N65E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20А; 179Вт; D2PAK,TO263

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    179Вт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    33нC
  • Ток стока
    20А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,19Ом
  • Gate-source voltage
    ±30В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация