SIHB15N60E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1720 шт
Количество Цена
1 808 ₽
10 531 ₽
50 412 ₽
100 373 ₽
500 306 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+45 баллов
SIHB15N60E-GE3 от 306 рублей в наличии 1720 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB15N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    78нC
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Ток стока
    9,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,28Ом
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
    39А
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    180Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация