SIHB12N60ET1-GE3

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIHB12N60ET1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SIHB12N60ET1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB12N60ET1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    147W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Заряд затвора
    58nC
  • Ток стока
    7.8A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    600V
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.38Ω
  • Напряжение затвор-исток
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
    27A
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация