SIHB12N60E-GE3

всего в наличии 1100 шт
Количество Цена ₽/шт
1 547
10 405
100 298
500 293
1000 285
Бесплатная доставка
и получите
+42 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIHB12N60E-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
Купить SIHB12N60E-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB12N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK

  • Монтаж
    SMD
  • Рассеиваемая мощность
    147Вт
  • Заряд затвора
    58нC
  • Полярность
    полевой
  • Производитель
    VISHAY
  • Корпус
    D2PAK
  • Ток стока
    7,8А
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    380мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация