Каталог товаров

SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 4316 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 554
10 358
100 247
500 200
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 4 316 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIHB12N60E-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIHB12N60E-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB12N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус D2PAK
Выбрано: Показать
Корпус TO263
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 147Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Заряд затвора 58нC
Выбрано: Показать
Ток стока 7,8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 600В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,38Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Вес 1.5g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти